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IRFS4010PBF中文资料

IRFS4010PBF图片

IRFS4010PBF外观图

  • 大小:363.2KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N-CH, 100V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacitance Ciss Typ:9575pF; Current Id Max:180A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:720A; Reverse Recovery Time trr Typ:72ns; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4...
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.7 毫欧 @ 106A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:215nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:9575pF @ 50V
  • 功率 - 最大:375W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件

IRFS4010PBF供应商

更新时间:2023-02-04 22:48:38
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